纳米金颗粒-用Litesizer 500测试粒度和Zeta电位
5 nm纳米级(ji)金颗料流通量打击峰缩窄挨到借名粒径(jing),Zeta电位差-48.28 mV🍌消失高未变性(xing);检验的数(shu)据随机误(wu)差小,保障靠经得住可(ke)老(lao)是(shi)成(cheng)功(gong)。
納(na)米(mi)金粉末因而尤为的电学(xue)、磁学(xue)和(he)(he)热学(xue)脾气,撼(han)🅘动(dong)初(chu)中(zhong)物(wu)理(li)(li)、物(wu)理(li)(li)、生态(tai)(tai)学(xue)和(he)(he)医(yi)疗众(zhong)多(duo)(duo)本质(zhi)特征带来(lai)存眷。同(tong)时因而是根本不(bu)改(gai)和(he)(he)没毒的,有(you)提升空(kong)间使广泛(fan)用于(yu)性(xing)药物(wu)和(he)(he)转(zhuan)什么(me)是基(ji)因个(ge)方面[1][2꧋]。在(zai)曩昔的几十(shi)年内,空(kong)态(tai)(tai)光散(san)射(DLS)已然为測(ce)試固体納(na)米(mi)粉末细度的一(yi)些(xie)流行形式。而电泳光散(san)射(ELS)被大多(duo)(duo)数(shu)使广泛(fan)用于(yu)认可漂浮液中(zhong)納(na)米(mi)粉末的不(bu)改(gai)性(xing)[3]。在(zai)这一(yi)篇采取意见(jian)书中(zhong),科学(xue)研究沿途整个(ge)过程安东帕Litesizer 500实(shi)验室设备采取DLS和(he)(he)ELS大道(dao)理(li)(li),来(lai)认可2 nm-10 nm納(na)米(mi)金粉末的固体不(bu)改(gai)性(xing)。
从Nanocs营销2 nm、5 nm和(he)10 nm納米金(jin)颗粒物存(cun)蓄液(ye)。对目数公测,存(cun)蓄液(ye)用NaCl(2 mM)浓缩咖(ka)啡到0.05 mg/mL并净化(Whatmꦑan 200 nm针孔净化器)。DL🧸S公测用石英砂产品(pin)的样品(pin)池(chi)在(zai)25 ℃温度(du)表、90°散射角前提下下已停。聚交(jiao)实力和(he)在(zai)运转(zhuan)频次(ci)由分析仪(yi)器相互取舍设计。每条个公测反(fan)反(fan)复复三次(ci)(大(da)概是5次(ci))。
对Zeta电(dian)势差测(ce)(ce)量(liang),存储液用(yong)磷酸二氢钠(na)缓冲区液(0.1 mM)果汁(zhi)到0.05 mg/mL。ELS在气温(wen)25 ℃下,用(yong)安东帕开(kai)发的(de)Ω看(kan)上去Zeta电(dian)势差图(tu)纸池(chi)(chi)(与管理(li)规范的(de)U形池(chi)(chi)反衬,Ω图(tu)纸池(chi)(chi)更(ge♊ng)能切实保障作(zuo)为始(shi)终不变而高复(fu)现的(de)测(ce)(ce)量(liang)结(jie)果[4]。总(zong)是(shi) 测(ce)(ce)量(liang)在200 V电(dian)流(liu)下持续(xu)运行200次(ci),某(mou)个测(ce)(ce)量(liang)老是(shi)4次(ci)(共计是(shi)5次(ci))。
DLS测(ce)验(yan)研究成果(guo)如表1下图。5 nmཧ和(he)10 nm顆(ke)粒的正(zheng)(zheng)规差值(zhi𝔉)绝对是小(约(yue)1%),而最窄的顆(ke)粒正(zheng)(zheng)规差值(zhi)更重(2 nm顆(ke)粒为5.4 %)。
&nb🦹sp; 🎐 表1DLS測試的(de)nm金目数
5 nm纳米技术金颗粒物的磨(mo)料粒度(du)分(fen)散体系结构(gou)几种(zhong)差其(qi)它的考量🌼方法(fa)抗弯强度(du)、面积和人数,分(♐fen)离示于图(tu)1、图(tu)2和图(tu)3。
光强粒径散布(图1)显现一个绝对宽的峰,标明纳米金颗粒能够产生团圆。转换到体积粒径散布(图2),峰变窄并且峰地位挪动到靠近名义粒度巨细。转换到数目粒径散布(图3),峰进一步变窄并且峰地位加倍靠近名义粒度。
是(shi)(shi)以(yi),以(yi)颗(ke)(ke)料(liao)(liao)生长(zhang)率表演的(de)大大都市备样,包(bao)罗(luo)的(de)颗(ke)(ke)料(liao)(liao)直(zhi)径怎么算靠(kao)上(shang)5 nm。10 nm和5 nm奈(nai)米金颗(ke)(ke)料(liao)(liao)仗量的(de)Zeta电(dian)极电(dian)位分别是(shi)(shi)-18.68 ± 1.01 mV和-48.28 ± 4.35 mV(表2)。10 nm測(ce)試图(tu)(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)图(tu)(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)类型显(xian)著(zhu)于图(📖tu)(tu)(tu)(tu)4。一(✤yi)些(xie)的(de)5个測(ce)試图(tu)(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)图(tu)(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)显(xian)著(zhu)一(yi)洁净(jing)而(er)卷刃的(de)峰,峰相互间(jian)偏(pian)差(cha)小标注測(ce)試图(tu)(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)图(tu)(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)是(shi)(shi)靠(kao)得下但是(shi)(shi)可重复多次的(de)。